在功率MOSFET與散熱片組裝過程中，為達(dá)到漏極與散熱器的絕緣目的，普通的TO-220產(chǎn)品需采用絕緣片+絕緣粒子的方式。這種方式不但增加了材料和人工成本，同時其成品率與可靠性也難以得到保障，更會出現(xiàn)產(chǎn)線檢測時絕緣可以測試通過，而出廠后再出現(xiàn)絕緣失效的現(xiàn)象。

華羿威代理匯芯通電子為解決這一問題，前期主要是用TO-220F封裝，但由于其導(dǎo)熱、散熱能力差，在很多功率耗散大的場合難以全面推廣。近一年，內(nèi)絕緣型封裝以其自身絕緣能力、較好的導(dǎo)熱、散熱性能得到了市場的認(rèn)可。但內(nèi)絕緣型封裝由于生產(chǎn)工藝復(fù)雜、框架與背面基板剝離強(qiáng)度差等問題。

西安后羿半導(dǎo)體以封裝技術(shù)為突破口，在TO-220F傳統(tǒng)封裝工藝上從結(jié)構(gòu)和材料上進(jìn)行了改進(jìn)，推出的TO-220MF封裝，在保持自身絕緣耐壓的優(yōu)良性能的同時，使其傳熱能力得到了大幅提高。

本實(shí)驗(yàn)測試內(nèi)絕緣型和后羿新型TO-220MF在同等功率耗散下，對比其導(dǎo)熱和散熱的能力。

在芯片性能（開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗）的前提下，新型MF封裝的熱擴(kuò)散能力要內(nèi)絕緣封裝。
另外強(qiáng)烈建議在使用內(nèi)絕緣和MF封裝的產(chǎn)品時，**產(chǎn)品與散熱器的良好接觸，在接觸面上摸一層導(dǎo)熱硅脂，這是降低產(chǎn)品熱失效率的有效保障（匯芯通電子科技）。