|
|
|||||||||||||||||
詳細介紹
1512nmDFB蝶形激光器(NH3檢測）
1,描述
該激光器采用***阱結構的 DFB 激光器，內置半導體制冷器，***的激光焊接工藝實現(xiàn)蝶形尾纖式封裝，結構緊湊，體積小，半導體制冷器***溫度控制下，激光器功***穩(wěn)定、波長高穩(wěn)定的***，使得激光器在光纖傳感器領域得到***應用。
產(chǎn)品特點 主要應用
采用進口氣體檢測***芯片封裝
波長穩(wěn)定
高輸出功率
氣密性溫控封裝 光纖氣體檢測系統(tǒng)
氣體檢測用無源器件生產(chǎn)檢測
光源
極限參數(shù)
參數(shù) 符號 單位 參數(shù)值
激光二極管正向電流 If(LD) mA 120
激光二極管反向電壓 Vr(LD) V 2
背光探測器工作電流 If(PD) mA 2
背光探測器反向電壓 Vr(PD) V 20
致冷器工作電流 ITEC A 2.4
致冷器工作電壓 VTEC V 2.9
工作溫度 Topr ℃ -20～+70
儲存溫度 Tstg ℃ -40～+85
管腳焊接溫度/時間 Tsld ℃/s 260/10
技術參數(shù)
參數(shù) 符號 單位 ***小值 典型值 值
出纖功率 P0 mw 10
閾值電流 Ith mA 12 18
工作電流 Iop mA 80
工作電壓 **bsp; V 1.5 2
線寬 Lw Mhz 2MHZ
中心波長 λc nm 1512
波長隨溫度變化漂移系數(shù) Δλ/T nm 0.1
波長隨電流變化漂移系數(shù) Δλ/I Nm 0.01
背光監(jiān)視電流 Im mA 0.1 2
背光探測器暗電流 Id nA 10
邊模抑制比 SMSR Db 35
芯片工作溫度 T ℃ 25
熱敏電阻@25℃ R KΩ 10
1,描述
該激光器采用***阱結構的 DFB 激光器，內置半導體制冷器，***的激光焊接工藝實現(xiàn)蝶形尾纖式封裝，結構緊湊，體積小，半導體制冷器***溫度控制下，激光器功***穩(wěn)定、波長高穩(wěn)定的***，使得激光器在光纖傳感器領域得到***應用。
產(chǎn)品特點 主要應用
采用進口氣體檢測***芯片封裝
波長穩(wěn)定
高輸出功率
氣密性溫控封裝 光纖氣體檢測系統(tǒng)
氣體檢測用無源器件生產(chǎn)檢測
光源
極限參數(shù)
參數(shù) 符號 單位 參數(shù)值
激光二極管正向電流 If(LD) mA 120
激光二極管反向電壓 Vr(LD) V 2
背光探測器工作電流 If(PD) mA 2
背光探測器反向電壓 Vr(PD) V 20
致冷器工作電流 ITEC A 2.4
致冷器工作電壓 VTEC V 2.9
工作溫度 Topr ℃ -20～+70
儲存溫度 Tstg ℃ -40～+85
管腳焊接溫度/時間 Tsld ℃/s 260/10
技術參數(shù)
參數(shù) 符號 單位 ***小值 典型值 值
出纖功率 P0 mw 10
閾值電流 Ith mA 12 18
工作電流 Iop mA 80
工作電壓 **bsp; V 1.5 2
線寬 Lw Mhz 2MHZ
中心波長 λc nm 1512
波長隨溫度變化漂移系數(shù) Δλ/T nm 0.1
波長隨電流變化漂移系數(shù) Δλ/I Nm 0.01
背光監(jiān)視電流 Im mA 0.1 2
背光探測器暗電流 Id nA 10
邊模抑制比 SMSR Db 35
芯片工作溫度 T ℃ 25
熱敏電阻@25℃ R KΩ 10
聯(lián)系方式
|
