芯片F(xiàn)T測試，三溫測試
芯片F(xiàn)T測試（Final Test簡稱FT）是指芯片在封裝完成后以及在芯片成品完成可靠性驗證后對芯片進行測功能驗證、電參數(shù)測試。主要的測試依據(jù)是集成電路規(guī)范、芯片規(guī)格書、用戶手冊。
目前芯片F(xiàn)T測試主要用到ATE測試系統(tǒng)，包括軟件和測試設(shè)備、測試硬件。
FT測試主要測試項目如下：
Open/Short test:檢查芯片引腳中是否有開路或短路。
Function test:測試芯片的邏輯功能。
DC test:驗證器件直流電流和電壓參數(shù)。
AC test:驗證交流規(guī)格，包括交流輸出信號的質(zhì)量和信號時序參數(shù)。
Eflash test:測試內(nèi)嵌flash的功能及性能，包含讀寫擦除動作及功耗和速度等各種參數(shù)。
Mixed Signal test:驗證DUT數(shù)模混合電路的功能及性能參數(shù)。
RF test:測試芯片里面RF模塊的功能及性能參數(shù)。
廣州廣電計量檢測股份有限公司（GRGT）始建于1964年，是原信息產(chǎn)業(yè)部電子602計量站，經(jīng)過50余年的發(fā)展，現(xiàn)已成為一家全國化、綜合性的國有第三方計量檢測機構(gòu)，專注于為客戶提供計量、檢測、認證以及技術(shù)咨詢與培訓(xùn)等專業(yè)技術(shù)服務(wù)，在計量校準、可靠性與環(huán)境試驗、電磁兼容檢測等多個領(lǐng)域的技術(shù)能力及業(yè)務(wù)規(guī)模處于國內(nèi)*水平。
我司芯片可靠性驗證測試能力如下：
芯片可靠性驗證(RA)：
芯片級預(yù)處理(PC)&MSL試驗、J-STD-020&JESD22-A113；
高溫存儲試驗(HTSL),JESD22-A103；
溫度循環(huán)試驗(TC),JESD22-A104；
溫濕度試驗(TH/THB),JESD22-A101；
高加速應(yīng)力試驗(HTSL/HAST),JESD22-A110；
高溫老化壽命試驗(HTOL),JESD22-A108；
芯片靜電測試(ESD)：
人體放電模式測試(HBM),JS001；
元器件充放電模式測試(CDM),JS002；
閂鎖測試(LU),JESD78；
TLP；Surge/EOS/EFT；
芯片IC失效分析(FA)：
光學(xué)檢查(VI/OM)；
掃描電鏡檢查(FIB/SEM)；
微光分析定位(EMMI/InGaAs)；
OBIRCH；
Micro-probe;
廣電計量從1964年開始從事計量檢定工作，是原信息產(chǎn)業(yè)部電力602計量站，歷經(jīng)五十余年的技術(shù)沉淀，持續(xù)變化創(chuàng)新，實現(xiàn)跨越式發(fā)展，成?為?家全國性、綜合化、軍?融合的國有第三?計量檢測機構(gòu)，專業(yè)提供計量校準、產(chǎn)品檢測及認證、分析評價、咨詢培訓(xùn)、檢測裝備及軟件系統(tǒng)研發(fā)等技術(shù)服務(wù)和產(chǎn)品，獲得了CNAS、DILAC、CMA、CATL，以及“**四證”等**和行業(yè)眾多**機構(gòu)的認可資質(zhì)。
元器件篩選業(yè)務(wù)聯(lián)系：張經(jīng)理：186-2090+8348；
郵箱：zhanghp grgtest.com