隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，對(duì)技術(shù)的要求越來(lái)越高，特別是半導(dǎo)體圓片的表面質(zhì)量要求越來(lái)越嚴(yán)格，主要原因是圓片表面的粒子和金屬雜質(zhì)污染嚴(yán)重影響設(shè)備的質(zhì)量和成品率，在現(xiàn)在的集成電路生產(chǎn)中，圓片表面污染問(wèn)題，還有50%以上的材料損失。

在半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中，幾乎每個(gè)過(guò)程都需要清洗，圓片清洗質(zhì)量對(duì)設(shè)備性能有嚴(yán)重影響。正因?yàn)閳A片清洗是半導(dǎo)體制造技術(shù)中**重要、**頻繁的步驟，其技術(shù)質(zhì)量直接影響設(shè)備的成品率、性能和可靠性，國(guó)內(nèi)外各大公司、研究機(jī)構(gòu)等對(duì)清洗技術(shù)的研究不斷進(jìn)行。等離子清洗作為一種的干式清洗技術(shù)，具有綠色環(huán)保等特點(diǎn)，隨著微電子行業(yè)的快速發(fā)展，等離子清洗機(jī)在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用也越來(lái)越多。

半導(dǎo)體污染雜質(zhì)及分類。

半導(dǎo)體制造需要一些有機(jī)物和無(wú)機(jī)物參與完成。此外，由于工藝總是由人們參與凈化室，半導(dǎo)體圓片不可避免地會(huì)被各種雜質(zhì)污染。根據(jù)污染物的來(lái)源、性質(zhì)等，大致可分為粒子、有機(jī)物、金屬離子和氧化物4種。

顆粒。

粒子主要是聚合物、光刻膠、蝕刻雜質(zhì)等。這種污染物通常主要依靠范德瓦爾斯的吸引力吸附在圓片表面，影響設(shè)備雕刻工序幾何圖形的形成和電學(xué)參數(shù)。這種污染物的去除方法主要用物理或化學(xué)方法切割粒子，逐漸減少與圓表面的接觸面積，**終去除。

有機(jī)物。

有機(jī)物雜質(zhì)的來(lái)源比較廣泛，如人的皮膚油脂、細(xì)菌、機(jī)械油、真空油、光刻膠、清洗溶劑等。這種污染物通常在圓形表面形成有機(jī)物薄膜，阻止清洗液到達(dá)圓形表面，圓形表面清洗不，清洗后金屬雜質(zhì)等污染物仍保留在圓形表面。這種污染物的清除通常在清洗過(guò)程的**步進(jìn)行，主要用硫酸和過(guò)氧化氫水等方法進(jìn)行。

金屬。

半導(dǎo)體技術(shù)中常見(jiàn)的金屬雜質(zhì)有鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等，這些雜質(zhì)的來(lái)源主要有各種器皿、配管、化學(xué)試劑、半導(dǎo)體圓片加工中，在形成金屬連接的同時(shí)，也產(chǎn)生了各種金屬污染。這種雜質(zhì)的去除通常采用化學(xué)方法，通過(guò)各種試劑和化學(xué)藥品制成的清洗液和金屬離子反應(yīng)，形成金屬離子的結(jié)合物，脫離圓片表面。

氧化物。

半導(dǎo)體圓片在含氧和水的環(huán)境下表面形成自然氧化層。該氧化膜不僅妨礙了半導(dǎo)體制造的許多步驟，還包括金屬雜質(zhì)，在一定條件下轉(zhuǎn)移到圓片中形成電氣缺陷。該氧化膜的去除通常用稀氫氟酸浸泡。

等離子清洗機(jī)在半導(dǎo)體晶圓清洗技術(shù)中的應(yīng)用等離子清洗技術(shù)簡(jiǎn)單，操作方便，無(wú)廢棄物處理和環(huán)境污染等問(wèn)題。但是，它不能去除碳和其他非揮發(fā)性金屬或金屬氧化物。等離子體清洗常用于光刻膠的去除技術(shù)，在等離子體反應(yīng)系統(tǒng)中加入少量氧氣，在強(qiáng)電場(chǎng)的作用下，使氧氣產(chǎn)生等離子體，使光刻膠迅速氧化成揮發(fā)性氣體狀態(tài)物質(zhì)。該清洗技術(shù)具有去膠技術(shù)操作方便、效率高、表面清潔、無(wú)損傷、有利于確保產(chǎn)品質(zhì)量等優(yōu)點(diǎn)，不使用酸、堿、有機(jī)溶劑等，越來(lái)越受到重視。